УДК 621.382.3.083.8:006.354 Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера
Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current
ТРАНЗИСТОРЫ
ГОСТ
18604.5—74*
|СТ СЭВ 3998—83)
Взамен
ГОСТ 10865—68
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. № 1478 срок введения установлен
Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 № 184 срок действия продлен
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор—эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор—эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы /ces; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером Icer; при заданном обратном напряжении эмиттер—база /сгх) свыше 0,01 мкА.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998—83 в части измерения обратного тока коллектора-эмиттера (справочное приложение);
Общие условия при измерении обратного тока коллектора-эмиттера должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0—83.
(Измененная редакция, Изм. «N*2 2).
1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерения с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей
с 01.01.76
до 01.01.91
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
1. АППАРАТУРА
Издание официальное ★
Перепечатка воспрещена
* Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменениями М 1, 2, утвержденными в сентябре 1980 г., апреле 1984 г. (ИУС 7—80, 8—84).
части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей чести шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.
Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
Для импульсного метода измерения обратного тока коллектора-эмиттера при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабе чей части шкалы, если это значение не Med ее 0,1 мкА, для цифровых приборов — в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискертного отсчета.
2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ
2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратно-гэ тока коллектора-эмиттера должна соответствовать указаной на чертеже.
ЯП/—измеритель постоянного тока; #/72-^измеритель постоянного напряжения, —напряжение источника питания коллектора; —резистор в
цепи базы, Т—испытуем ый транзистор; V _ _ —напря асение источника питать
ния эмиттер-база.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.
2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 не должно превышать 5% от показаний измерителя постоянного напряжения ИП2.
Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение источника питания Uс на значение, рав
ное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерите* ля постоянного тока ИП1.
2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока кол* лектора не должна превышать 2%.
Значения напряжения Uс и напряжения Ube указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряженияИП2.
2.2.3. Значение сопротивления резистора в цепи базы Rb дол* жно соответствовать номинальному значению, указанному в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов с погрешностью в пределах ±2%.
2.2.2, 2.2.3. (Измененная редакция, Изм. № 2).
2.3. Допускается проводить измерение обратного тока коллектора-эмиттера мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.
Измерение проводят по схеме, указанной в стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.
2.3 1 Длительность импульса ти должна выбираться из соотношения
Ют
где т=/?г -Сс ;
Rr —включенное последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление внешней цепи (в этом числе внутреннее сопротивление генератора импульсов);
Сс — емкость коллекторного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора Тф должна быть
2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.
2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 2).
2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.
(Введен дополнительно, Изм. № 2).
3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ
3.1. Обратный ток коллектора-эмиттера измеряют следующим образом. От источника постояннго тока на коллектор транзистора
подают напряжение Uс и с помощью измерителя постоянного тока ИП1 измеряют обратный ток коллектора-эмиттера.
Допускается измерять обратный ток коллектора-эмиттера по значению падения напряжения на калибровочном резисторе RK, включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соогнсшение
Rk’Ice’KOjOSUc
Если падение напряжения на резисторе RK превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение Uq на значение, равное падению напряжения на резисторе RK .
3.2. Порядок проведения измерения обратного тока коллектора-эмиттера импульсным методом аналогичен указанному в п. 3.1.
3.3. При измерении обратного тока коллектора-эмиттера импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не мене 3 Тф с момента начала импульса.
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.5—74 СТ СЭВ 3998—83 ГОСТ 18604.5—74 соответствует ра*д. 3 СТ СЭВ 3998—83.
(Введено дополнительно, Изм. № 2).