УДК 621.382.3.019.3:006.354 Группа Э29
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ
Метод измерения обратного тока эмиттера
Transistors. Method for measuring emitter reverse current
ГОСТ
18604.6-74*
|СТ СЭВ 3998—83)
Взамен
ГОСТ 10867—68
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. № 1478 срок введения установлен
с 01.01.76
Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 № 184 срок действия продлен
до 01.01.91
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера Iево (ток через переход эмиттер — база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998—83 в части измерения обратного тока эмиттера (справочное приложение).
Общие условия при измерении обратного тока эмиттера должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0—83.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
1. АППАРАТУРА
1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерение с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.
Издание официальное
★
Перепечатка воспрещена
* Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменением М 1, утвержденным в апреле 1984 г. (И У С 8—84).
Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ± 1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
Для импульсного метода измерения Iebo при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ± 15 % от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее ОД мкА, для цифровых приборов — в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
1.2. Допускаются токи утечки в цепи коллектора, не приводящие к превышению основной погрешности измерения сверх значения, указанного в п. 1.1.
2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ
2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратного тока эмиттера должна соответствовать указанной на чертеже.
ИП1— измеритель постоянного тока,
ИП2—измеритель постоянного напряжения, U^ —напряжение источника литания эмиттера, Г—испытуемый транзистор
(Измененная редакция, Изм. № 1).
2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.
2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 не должно превышать 5 % от показаний измерителя постоянного напряжения ИП2.
Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении ИП1 превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение источника питания Uе на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении ИП1.
2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока эмиттера не должна превышать 2%.
Значение напряжения UE указывают в стандартах или техни
ческих условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения ИП2.
(Измененная редакция, Изм, № 1).
2.3. Допускается проводить измерение Iebo мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.
Измерение проводят по схеме, указанной в настоящем стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.
2.3.1. Длительность импульса ти должна выбираться из соотношения
тй>10т,
гдет=Яг *Се
Rг —включение последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление внешней цепи (в том числе внутреннее сопротивление генератора импульсов);
Се—емкость эмиттерного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № I).
2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора Тф должна быть
тф<0,1ти.
2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.
2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.
(Введен дополнительно, Изм. № 1).
3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ
3.1. Обратный ток эмиттера измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на эмиттер подают обратное напряжение U Е и с помощью измерителя постоянного тока ИП1 измеряют обратный ток эмиттера Iев о .
Допускается измерять обратный ток по значению падения напряжения на калиброванном резисторе RK , включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение
Rк–Iebo -^.0,050е .
Если падение напряжения на резисторе Як превышает 5%, тс необходимо увеличить напряжение Ue на значение, равное падению напряжения на резисторе R к .
3.2. Порядок проведения измерения / ево импульсным методом аналогичен указанному в п. 3.1.
3.3. При измерении Iebo импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее 3 Тф с момента
начала импульса.
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.6—74 СТ СЭВ 3998—83
ГОСТ 18604.6—74 соответствует раэд. 2 СТ СЭВ 3998—83.
(Введено дополнительно, Изм. № 1).
